From 19973213b07d2b66caad1c661f701ffdf12ea8c9 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: =?UTF-8?q?=E6=9B=B9=E6=AD=A3=E6=B3=A2?= <1938448998@qq.com> Date: Tue, 5 Mar 2024 21:13:29 +0800 Subject: [PATCH] =?UTF-8?q?=E4=B8=89=E6=9C=88=E5=9B=9B=E5=8F=B7=E4=BD=9C?= =?UTF-8?q?=E4=B8=9A?= MIME-Version: 1.0 Content-Type: text/plain; charset=UTF-8 Content-Transfer-Encoding: 8bit --- ...76\345\215\241\345\206\205\345\255\230.md" | 59 +++++++++++++++++++ 1 file changed, 59 insertions(+) create mode 100644 "14 \346\233\271\346\255\243\346\263\242/20240304\350\256\241\347\256\227\346\234\272\345\237\272\347\241\200\346\230\276\345\215\241\345\206\205\345\255\230.md" diff --git "a/14 \346\233\271\346\255\243\346\263\242/20240304\350\256\241\347\256\227\346\234\272\345\237\272\347\241\200\346\230\276\345\215\241\345\206\205\345\255\230.md" "b/14 \346\233\271\346\255\243\346\263\242/20240304\350\256\241\347\256\227\346\234\272\345\237\272\347\241\200\346\230\276\345\215\241\345\206\205\345\255\230.md" new file mode 100644 index 0000000..7dd4dcf --- /dev/null +++ "b/14 \346\233\271\346\255\243\346\263\242/20240304\350\256\241\347\256\227\346\234\272\345\237\272\347\241\200\346\230\276\345\215\241\345\206\205\345\255\230.md" @@ -0,0 +1,59 @@ +# 显卡显存类型 + +存的类型也是影响显卡性能的重要参数之一，目前市面上的显存主要有HBM和GDDR两种。 + + GDDR：GDDR显存在很长一段时间内是市场上的主流类型，从过去的GDDR1一直到现在的GDDR5和GDDR5X。GDDR5和GDDR5X显存的功耗相对低，且性能更高，也可以提供更大的容量，并采用了新的频率架构，拥有更佳的容错性。 + + HBM：HBM显存是最新一代的显存，用来替代GDDR，它采用堆叠技术，减少了显存的体积，节省了空间。HBM显存增加了位宽，其单颗粒的位宽是1024bit，是GDDR5的32倍。同等容量的情况下，HBM显存性能比GDDR5提升了65%，功耗降低了40%。最新的HBM2显存的性能可能在原来的基础上翻一倍。 + +# 什么是DDR + +双倍速率同步动态随机 存储器 + +ddr是一个内存名称，意思即双倍速率同步动态随机 存储器 ，是内存的其中一种。 + +## 功能特点 + +内存又可以叫做主存。是CPU能直接寻址的存储空间。内存的特点是访问数据的速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于[外存](https://baike.baidu.com/item/外存/0?fromModule=lemma_inlink)而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。就好比在一个书房里，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公桌就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的[数据存储](https://baike.baidu.com/item/数据存储/0?fromModule=lemma_inlink)在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的质量会直接影响电脑的运行速度。 + +## 工作原理 + +SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而[DDR内存](https://baike.baidu.com/item/DDR内存/577857?fromModule=lemma_inlink)则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步[动态随机存储器](https://baike.baidu.com/item/动态随机存储器/0?fromModule=lemma_inlink)。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的[数据传输率](https://baike.baidu.com/item/数据传输率/0?fromModule=lemma_inlink)。 + +## 性能特点 + +与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在[时钟脉冲](https://baike.baidu.com/item/时钟脉冲/0?fromModule=lemma_inlink)的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。 + +从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。[DDR内存](https://baike.baidu.com/item/DDR内存/577857?fromModule=lemma_inlink)采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的[LVTTL标准](https://baike.baidu.com/item/LVTTL标准/0?fromModule=lemma_inlink)。 + +## 内存频率 + +DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是[内存颗粒](https://baike.baidu.com/item/内存颗粒/0?fromModule=lemma_inlink)实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。 + +# 时序 + +在频率相同的情况下，这几个数字越小，内存越快。 + +时序的5个数字从左到右分别代表： + +1. Column Access Strobe (CAS) Latency（简称CL），可以翻译成“[列访问选通延迟](https://www.zhihu.com/search?q=列访问选通延迟&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})”。至于具体什么是列访问选通，咱们这里就不详细说了。 + 发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同，这不是最大值，而是[内存控制器](https://www.zhihu.com/search?q=内存控制器&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})和内存之间必须达成的确切数字。 +2. Row Access Strobe(RAS) to Column Access Strobe(CAS) Delay time（简称tRCD），说人话就是“行地址传输到列地址的延迟“， + 打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非[活动行](https://www.zhihu.com/search?q=活动行&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})读取第一位内存的时间是TRCD+ CL。 +3. RAS Precharge Delay time（简称tRP），“行[预充电时间](https://www.zhihu.com/search?q=预充电时间&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})“ + 发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP+ TRCD+ CL。 +4. Row Active Delay time（简称tRAS），“行[激活时间](https://www.zhihu.com/search?q=激活时间&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})“。有时会被省略。 + 行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间，并与TRCD重叠。在SDRAM模块中，它只是TRCD+ CL。否则，约等于TRCD+ 2×CL。 +5. Command Rate，称之为“[首命令延迟](https://www.zhihu.com/search?q=首命令延迟&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})”，一般很少出现。通常会被省略。 + +# 颗粒 + +内存芯片全名称叫：动态随机存取存储器（DRAM），属于易失性储存的一种。意思就是断电之后就会丢失数据不会持久化保持。 +主要是作储存工作。我们常常说计算机就是0和1的计算，内存芯片内面的电容器和晶体管就是充当这样运算角色。当电容器充满电子的时就是代表1或者代表0，而晶体管则代表开关可以让控制电路读取或改变电容器的状态。 +一个电容器和一个晶体管组成一对叫储存单元，需要周期性补充电子保持状态故称“动态”存储器。 + +# 硬盘的主控缓存闪存颗粒 + +固态硬盘（SSD）主要包括主控芯片、闪存颗粒和缓存单元三大组件，在这三大件中，采购成本最高的是闪存颗粒，大约占据了70%的份额；由于不同厂商对不同产品的定位问题和有些产品存在内外置缓存的区分，缓存单元一般无法统一论述；但最有技术含量和核心技术的则是主控芯片了。 + +主控与闪存的沟通同样很复杂。固态硬盘中的闪存通常被叫做RAW闪存，智能化程度很低，只能遵循特定的闪存接口，如Toggle或者ONFI进行访问。而不同的闪存芯片在工作特性上有些千丝万别的不同，这就需要主控去主动适应闪存的特点。 \ No newline at end of file -- Gitee