diff --git a/README.en.md b/README.en.md deleted file mode 100644 index 0aa1d7f3a26e310ef5bd4fabdfeeb7589855e6dc..0000000000000000000000000000000000000000 --- a/README.en.md +++ /dev/null @@ -1,36 +0,0 @@ -# 计算机基础 - -#### Description -{**When you're done, you can delete the content in this README and update the file with details for others getting started with your repository**} - -#### Software Architecture -Software architecture description - -#### Installation - -1. xxxx -2. xxxx -3. xxxx - -#### Instructions - -1. xxxx -2. xxxx -3. xxxx - -#### Contribution - -1. Fork the repository -2. Create Feat_xxx branch -3. Commit your code -4. Create Pull Request - - -#### Gitee Feature - -1. You can use Readme\_XXX.md to support different languages, such as Readme\_en.md, Readme\_zh.md -2. Gitee blog [blog.gitee.com](https://blog.gitee.com) -3. Explore open source project [https://gitee.com/explore](https://gitee.com/explore) -4. 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Gitee 封面人物是一档用来展示 Gitee 会员风采的栏目 [https://gitee.com/gitee-stars/](https://gitee.com/gitee-stars/) diff --git "a/\347\250\213\345\270\205\347\277\224/3\346\234\2104\344\275\234\344\270\232.md" "b/\347\250\213\345\270\205\347\277\224/3\346\234\2104\344\275\234\344\270\232.md" new file mode 100644 index 0000000000000000000000000000000000000000..2118f5627803871535463649a2bc0f0b45b2f13d --- /dev/null +++ "b/\347\250\213\345\270\205\347\277\224/3\346\234\2104\344\275\234\344\270\232.md" @@ -0,0 +1,56 @@ +**DDR是什么** + +**功能特点** + +播报编辑内存又可以叫做主存。是CPU能直接寻址的存储空间。内存的特点是访问数据的速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。就好比在一个书房里，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公桌就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的质量会直接影响电脑的运行速度。 + + + +**工作原理** + +播报编辑SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 + + + +**性能特点** + +播报编辑与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 + + + +DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是[内存颗粒](https://baike.baidu.com/item/内存颗粒/0?fromModule=lemma_inlink)实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。 + +**内存条的时序** + +时序的5个数字从左到右分别代表： + +1. Column Access Strobe (CAS) Latency（简称CL），可以翻译成“[列访问选通延迟](https://www.zhihu.com/search?q=列访问选通延迟&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})”。至于具体什么是列访问选通，咱们这里就不详细说了。 + 发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同，这不是最大值，而是[内存控制器](https://www.zhihu.com/search?q=内存控制器&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})和内存之间必须达成的确切数字。 +2. Row Access Strobe(RAS) to Column Access Strobe(CAS) Delay time（简称tRCD），说人话就是“行地址传输到列地址的延迟“， + 打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非[活动行](https://www.zhihu.com/search?q=活动行&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})读取第一位内存的时间是TRCD+ CL。 +3. RAS Precharge Delay time（简称tRP），“行[预充电时间](https://www.zhihu.com/search?q=预充电时间&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})“ + 发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP+ TRCD+ CL。 +4. Row Active Delay time（简称tRAS），“行[激活时间](https://www.zhihu.com/search?q=激活时间&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})“。有时会被省略。 + 行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间，并与TRCD重叠。在SDRAM模块中，它只是TRCD+ CL。否则，约等于TRCD+ 2×CL。 +5. Command Rate，称之为“[首命令延迟](https://www.zhihu.com/search?q=首命令延迟&search_source=Entity&hybrid_search_source=Entity&hybrid_search_extra={"sourceType"%3A"answer"%2C"sourceId"%3A1418553902})”，一般很少出现。通常会被省略。 + + + +**内存条的颗粒** + +内存颗粒也叫内存芯片属于DRAM（动态随机存取存储器），别小看这一个芯片体内大概有数百万个电容器和晶体管。 +光刻机是制造大规模集成电路的关键设备，工艺越先进，晶体管数量越多，芯片越强悍。 + +**硬盘的主控** + +硬盘主控（这里以固态硬盘为例）是**用于主要控制闪存颗粒进行存储管理的控制器**，是硬盘的“首脑”，通俗一点说，是管理如何将外来数据如何合理、高效地保存到存储器的空间里，并记录好各数据的具体放置地址，以及管理如何快速找到各数据并将他们的数据读取出来等等。 + + + +**硬盘的缓存是什么** + +**硬盘缓存的作用 为了平衡高速设备和低速设备之间的速度差异而存在的**。 举个最简单的例子，内存中的数据要写入机械硬盘保存，由于机械硬盘相比内存要缓慢许多，理论上就需要很长的时间才能完成任务，体现出来的结果就是写入超级慢。 要解决这种速度上的差异（内存速度与硬盘速度），就需要在之间做一个“缓冲区”来暂存数据，这就是硬盘缓存的作用。 + +**闪存颗粒** + +固态硬盘（SSD）主要由主控芯片和NAND闪存组成，主控芯片负责传输，NAND闪存负责存储，NAND闪存中包含了无数个存储单元，主控芯片可以直接定位到存储单元中的数据，这也是SSD速度快的主要原因，而固态硬盘的闪存颗粒，它就是固态硬盘专门负责存储数据的部分，目前为止有**SLC、MLC、TLC、QLC**这四种类别，性能从高到低排序，分别为SLC>MLC>TLC=QLC，SLC不论在速度上还是颗粒寿命上都是这几个里面最优的，但目前出于成本的原因，也由于现在的技术越来越成熟，目前主流的固态硬盘的颗粒，大多还是TLC和QLC，现在市面上定位中高端的固态硬盘往往都是TLC颗粒的，低端则大多为QLC颗粒。 \ No newline at end of file