diff --git "a/31 \346\236\227\344\274\237\345\275\254/20230303 \346\230\276\345\215\241.md" "b/31 \346\236\227\344\274\237\345\275\254/20230303 \346\230\276\345\215\241.md"
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@@ -0,0 +1,38 @@
+# 显卡
+
+显卡（Video card，Graphics card）全称显示接口卡，又称显示适配器，是计算机最基本配置、最重要的配件之一。
+
+就像电脑联网需要网卡，主机里的数据要显示在屏幕上就需要显卡。因此，显卡是电脑进行数模信号转换的设备，承担输出显示图形的任务。
+
+具体来说，显卡接在电脑主板上，它将电脑的数字信号转换成模拟信号让显示器显示出来。
+
+CPU是一个有多种功能的优秀领导者。它的优点在于调度、管理、协调能力强，计算能力则位于其次。而GPU相当于一个接受CPU调度的“拥有大量计算能力”的员工。
+
+GPU可以利用多个CUDA核心来做并行计算，而CPU只能按照顺序进行串行计算，同样运行3000次的简单运算，CPU需要3000个时钟周期，而配有3000个CUDA核心的GPU运行只需要1个时钟周期。
+
+- 流光处理器：也叫渲染管、着色器。画面都是由一个又一个像素点组成的，而流处理器就负责这些像素点的渲染工作；
+
+- RT核心：光追核心，用作于光线追踪效果；
+
+- Tensor核心：一种新型处理核心，它执行一种专门的矩阵数学运算，适用于深度学习和某些类型的HPC；
+
+- 显存容量：显存容量决定着显存临时存储数据的多少，大显存能减少读取数据的次数，降低延迟；
+
+- 显存带宽：显存带宽指的是图形处理芯片与显存之间的交换速度，所以，显存接口总线的位数越宽，交换速率也就越高，而显存的速度越快
+
+- 单精度浮点性能：代表显卡的浮点计算能力，越高算力越强，深度学习、科学计算用途较多；
+
+- 核心代号：显卡核心代号就是指显卡的显示核心的开发代号。
+
+- 核心频率：只显示核心的工作频率，其工作频率在一定程度上可以反映出显示核心的性能；
+
+- 加速频率：只显示核心的工作频率最高可达频率。
+
+- 显存位宽：是显存在一个时钟周期内所能传送数据的位数,位数越大则瞬间所能传输的数据量越大,这是显存的重要参数之一；
+
+- 显存容量：其主要功能就是暂时储存GPU要处理的数据和处理完毕的数据。显存容量大小决定了GPU能够加载的数据量大小。（在显存已经可以满足客户业务的情况下，提升显存不会对业务性能带来大的提升。在深度学习、机器学习的训练场景，显存的大小决定了一次能够加载训练数据的量，在大规模训练时，显存会显得比较重要。
+
+- 显存频率：一定程度上反应着该显存的速度，以MHz（兆赫兹）为单位,显存频率随着显存的类型、性能的不同而不同。显存频率和位宽决定显存带宽。
+
+- 显存带宽：指显示芯片与显存之间的数据传输速率，它以字节/秒为单位。显存带宽是决定显卡性能和速度最重要的因素之一。
+  
diff --git "a/\350\256\241\347\256\227\346\234\272\347\241\254\344\273\266/20240302\347\241\254\344\273\266(\344\270\273\346\235\277\343\200\201CPU).md" "b/31 \346\236\227\344\274\237\345\275\254/20240302 \344\270\273\346\235\277\345\222\214CPU.md"
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@@ -0,0 +1,67 @@
+# 笔记
+
+### 一、内存
+
+内存(Memory)是计算机的重要部件，也称内存储器和[主存储器](https://baike.baidu.com/item/主存储器/10635399?fromModule=lemma_inlink)，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等[外部存储器](https://baike.baidu.com/item/外部存储器/4843180?fromModule=lemma_inlink)交换的数据。它是[外存](https://baike.baidu.com/item/外存/2445612?fromModule=lemma_inlink)与[CPU](https://baike.baidu.com/item/CPU/120556?fromModule=lemma_inlink)进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。内存的运行决定计算机整体运行快慢。
+
+### 二、硬盘
+
+- 硬盘(港台称之为硬碟，英文名：Hard Disk Drive 简称HDD 全名 温彻斯特式硬盘)是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。碟片外覆盖有铁磁性材料。
+
+- 硬盘有固态硬盘(SSD 盘，新式硬盘)、机械硬盘(HDD 传统硬盘)、混合硬盘(HHD 一块基于传统机械硬盘诞生出来的新硬盘)。SSD采用闪存颗粒来存储，HDD采用磁性碟片来存储，混合硬盘(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。
+
+# 作业
+
+### 一、什么是DDR？
+
+ddr全称Double Data Rate，即双倍数据速率。
+
+1. DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍数据率同步动态随机存取存储器；
+
+2. DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器；
+
+3. DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器；
+
+4. DDR4 SDRAM：Double-Data-Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory，第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器。
+
+   
+
+   DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
+
+   DDR是双数据速率的SDRAM内存，已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展，不断提高速度和容量，同时降低成本，减小功率和存储设备的物理尺寸。
+
+### 二、内存时序和内存颗粒是什么？
+
+1、内存时序：
+
+内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是购买内存最需要关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。
+
+2、内存颗粒：
+
+[内存条](https://so.csdn.net/so/search?q=内存条&spm=1001.2101.3001.7020)颗粒即内存芯片（又称晶片），内存条颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。不同厂商生产的内存颗粒体制、性能都存在一定的差异，一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚等。
+
+### 三、有内存和外存，外存是什么？
+
+外存储器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。
+
+### 四、M.2接口的M-key和B-key的区别。
+
+M.2这个接口的插槽端一共分为两种设计，一种是支持“B key”的插槽，短的一段在左边，采用6pin设计；另一种是支持“M key”的插槽，短的一段在右边。 采用5pin设计。 采用b key的M.2插槽比较低端，只能走SATA或PCI-E X2通道，而采用M key的插槽就要高端一些了，走的是PCI-E X4通道。
+
+### 五、SSD缓存，颗粒主控都是干嘛的？
+
+**1、主控：**主控类似于电脑的CPU，控制固态硬盘的内部操作非常重要。
+
+**2、颗粒类型：**颗粒类型SLC，MLC，TLC，QLC以及特殊的 3D Xpoint 闪存颗粒。简单来说，不同的闪存颗粒就是单位面积存储的数据不同。增加存储的数据量可以增加单位面积数据存储的上限，但会降低寿命和性能。
+
+1. SLC 颗粒：NAND 闪存的始祖，具有十万次的 P/E 寿命，（就是十万次擦写寿命，就是相当于把盘写满，然后删除），同时具有很高的速度，但是成本高，单位密度低。
+
+2. MLC颗粒：具有 3000～10000 次的 P/E 寿命，速度性能好。
+
+3. TLC颗粒：具有 500 ～1000 次的 P/E 寿命慢，但有 SLC 缓存加持，短时间速度性能也很好，有很多针对性 TLC 主控芯片，为TLC 普及加砖加瓦。
+
+4. QLC颗粒：它的寿命和速度相对较差。
+
+5. Intel 3D xpoint 颗粒：寿命极高，介于 DRAM 和 NAND 第一代约有速度之间的速度 1 % DRAM 但是样也比 NAND 强大得多，随机读写性能被碾压 NAND。
+
+
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