diff --git "a/\345\206\257\345\273\272\347\250\213/20240304 \345\206\205\345\255\230\345\222\214\347\241\254\347\233\230.md" "b/\345\206\257\345\273\272\347\250\213/20240304 \345\206\205\345\255\230\345\222\214\347\241\254\347\233\230.md"
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+# 笔记
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+### 一、内存
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+内存(Memory)是计算机的重要部件，也称内存储器和[主存储器](https://baike.baidu.com/item/主存储器/10635399?fromModule=lemma_inlink)，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等[外部存储器](https://baike.baidu.com/item/外部存储器/4843180?fromModule=lemma_inlink)交换的数据。它是[外存](https://baike.baidu.com/item/外存/2445612?fromModule=lemma_inlink)与[CPU](https://baike.baidu.com/item/CPU/120556?fromModule=lemma_inlink)进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。内存的运行决定计算机整体运行快慢。
+
+### 二、硬盘
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+- 硬盘(港台称之为硬碟，英文名：Hard Disk Drive 简称HDD 全名 温彻斯特式硬盘)是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。碟片外覆盖有铁磁性材料。
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+- 硬盘有固态硬盘(SSD 盘，新式硬盘)、机械硬盘(HDD 传统硬盘)、混合硬盘(HHD 一块基于传统机械硬盘诞生出来的新硬盘)。SSD采用闪存颗粒来存储，HDD采用磁性碟片来存储，混合硬盘(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。
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+# 作业
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+### 一、什么是DDR？
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+ddr全称Double Data Rate，即双倍数据速率。
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+1. DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍数据率同步动态随机存取存储器；
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+2. DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器；
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+3. DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器；
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+4. DDR4 SDRAM：Double-Data-Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory，第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器。
+
+   
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+   DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
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+   DDR是双数据速率的SDRAM内存，已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展，不断提高速度和容量，同时降低成本，减小功率和存储设备的物理尺寸。
+
+### 二、内存时序和内存颗粒是什么？
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+1、内存时序：
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+内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是购买内存最需要关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。
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+2、内存颗粒：
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+[内存条](https://so.csdn.net/so/search?q=内存条&spm=1001.2101.3001.7020)颗粒即内存芯片（又称晶片），内存条颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。不同厂商生产的内存颗粒体制、性能都存在一定的差异，一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚等。
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+### 三、有内存和外存，外存是什么？
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+外存储器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。
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+### 四、M.2接口的M-key和B-key的区别。
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+M.2这个接口的插槽端一共分为两种设计，一种是支持“B key”的插槽，短的一段在左边，采用6pin设计；另一种是支持“M key”的插槽，短的一段在右边。 采用5pin设计。 采用b key的M.2插槽比较低端，只能走SATA或PCI-E X2通道，而采用M key的插槽就要高端一些了，走的是PCI-E X4通道。
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+### 五、SSD缓存，颗粒主控都是干嘛的？
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+**1、主控：**主控类似于电脑的CPU，控制固态硬盘的内部操作非常重要。
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+**2、颗粒类型：**颗粒类型SLC，MLC，TLC，QLC以及特殊的 3D Xpoint 闪存颗粒。简单来说，不同的闪存颗粒就是单位面积存储的数据不同。增加存储的数据量可以增加单位面积数据存储的上限，但会降低寿命和性能。
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+1. SLC 颗粒：NAND 闪存的始祖，具有十万次的 P/E 寿命，（就是十万次擦写寿命，就是相当于把盘写满，然后删除），同时具有很高的速度，但是成本高，单位密度低。
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+2. MLC颗粒：具有 3000～10000 次的 P/E 寿命，速度性能好。
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+3. TLC颗粒：具有 500 ～1000 次的 P/E 寿命慢，但有 SLC 缓存加持，短时间速度性能也很好，有很多针对性 TLC 主控芯片，为TLC 普及加砖加瓦。
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+4. QLC颗粒：它的寿命和速度相对较差。
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+5. Intel 3D xpoint 颗粒：寿命极高，介于 DRAM 和 NAND 第一代约有速度之间的速度 1 % DRAM 但是样也比 NAND 强大得多，随机读写性能被碾压 NAND。
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