diff --git "a/28 \346\236\227\351\235\222\350\214\271/20240304 \347\241\254\347\233\230.md" "b/28 \346\236\227\351\235\222\350\214\271/20240304 \347\241\254\347\233\230.md"
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+#  笔记
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+一·内存(临时存放数据的地方)
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+CPU和内存直接交互
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+内存的工作流程：先从硬盘中将数据读到内存，CPU从内存中得到数据
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+容量：内存多大       频率：速度越快     主流频率：3200和3600mh2 DDR4
+同频下频率一样时序越小越好
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+二.硬盘(数据仓库管理员)
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+HDD(机械硬盘):转速是衡量HDD一个参数，转速越快，读取越快
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+SSD(固态硬盘):电子交互，速度快
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+接口：物理接口
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+PCI-E接口：专门跑PCI-E通道的那个物理接口
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+M.2接口：专门跑PCI-E或者SATA通道
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+SATA接口：专门跑SATA同道的那个物理接口，限速600mb/s
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+通道：不同通道速率上限不同
+
+协议：是一种为高效管理数据传输而制定的规则和工作模式
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+IDE                AHCI(民用)：SATA通道          NVME(最牛固态硬盘)：PCI-E通道
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+PCI-E目前最大作用就是插显卡
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+两大硬盘的优劣势
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+HDD：性价比高，寿命长，维护性机械更强，坏了可以维修，容量大SSD 120 1T
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+SSD:有读写次数限制，坏了就报废了
+
+
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+# 作业
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+DDR的历史
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+DDR全称Double Data Rate，即双倍数据速率。
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+1. DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍数据率同步动态随机存取存储器；
+
+2. DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器；
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+3. DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器；
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+4. DDR4 SDRAM：Double-Data-Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory，第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器。
+
+   DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
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+   DDR是双数据速率的SDRAM内存，已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展，不断提高速度和容量，同时降低成本，减小功率和存储设备的物理尺寸。
+
+内存时序和内存颗粒
+1、内存时序：
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+内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是购买内存最需要关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。
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+2、内存颗粒：
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+[内存条](https://so.csdn.net/so/search?q=内存条&spm=1001.2101.3001.7020)颗粒即内存芯片（又称晶片），内存条颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚等。
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+外存是什么？
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+外存又称为辅存，是指除计算机内存及CPU缓存以外的存储器，此类存储器断电后仍能保存数据。常见的外存有硬盘、光盘、U盘等。我们现在笔记本所使用的SSD固态硬盘，机械硬盘等等就是外部存储器。CPU如果想访问外存中的数据，必须先把外存的数据保存到内存中，CPU再去读取内存中的数据。
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+M.2接口的M-key 和B-key的区别
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+M.2这个接口的插槽端一共分为两种设计，一种是支持“B key”的插槽，短的一段在左边，采用6pin设计；另一种是支持“M key”的插槽，短的一段在右边。采用5pin设计。采用b key的M.2插槽比较低端，只能走SATA或PCI-E X2通道，而采用M key的插槽就要高端一些了，走的是PCI-E X4通道。它们的区别除了通道速率的不同，在结构表现上主要为缺口位置的不同，M key接口的位置在右，B key 接口的缺口位置在左。在PCIe总线接口的区分上，其实还有一种接口形式，就是M.2（B+M）key接口，这种接口形式即可以用在B key插槽，也可以用在M key插槽，更可以用在B+M插槽
+
+SSD缓存，颗粒，主控都是干嘛的？
+
+缓存：SSD独立缓存是固态硬盘中的一块缓存区域，用来临
+时存储数据以提高读写性能，它是一块专用的内存芯
+片，直接连接到硬盘的控制器。
+
+颗粒：分类有两个方向，一个是从其质量上区分，一个是从技术上区分，这两个区分的方向大家都讨论的热火朝天，一边是SLC\MLC\TLC等颗粒，一边是原厂颗粒、白片、黑片等颗粒。
+1. SLC 颗粒：NAND 闪存的始祖，具有十万次的 P/E 寿命，（就是十万次擦写寿命，就是相当于把盘写满，然后删除），同时具有很高的速度，但是成本高，单位密度低。
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+2. MLC颗粒：具有 3000～10000 次的 P/E 寿命，速度性能好。
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+3. TLC颗粒：具有 500 ～1000 次的 P/E 寿命慢，但有 SLC 缓存加持，短时间速度性能也很好，有很多针对性 TLC 主控芯片，为TLC 普及加砖加瓦。
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+4. QLC颗粒：它的寿命和速度相对较差。
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+主控：主控其实就是固态硬盘中的主要控制芯片。
+硬件层面上，主控是电脑主机与硬盘内的闪存颗粒之间的桥梁，负责接收上级主机下达的任务以及协调下级闪存颗粒。可以理解成硬件是一个搬砖部门，主控就是部门经理，散存颗粒就是工人。
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+一是合理调配数据在各个闪存芯片上的负荷，让所有的闪存颗粒都能够在一定负荷下正常工作，协调和维护不同区块颗粒的协作，二则是承担了整个数据中转，连接闪存芯片和外部SATA接口，三则是负责固态硬盘内部各项指令的完成，诸如trim、CG回收、磨损均衡。
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